Hg1-xCdxTe相关论文
对影响Hg1-xCdTe红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结......
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X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法,其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础.用X射线动......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组......
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以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性......
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用扫描电子显微镜，能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在......
选用组分均匀的碲镉汞Hg1-xCdxTe晶片(x＝0.170-0.300 mole CdTe),在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱,取透射比为5%......
采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽（FWHM）、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度（EPD）技术对开管变温热处理前后的液相外延（LPE）Hg1-xCdxTe薄膜......
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺......
利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50－5000cm^-1进行了测量，......
首次系统，深入地探讨了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延层的界面结构，组分分布对其室温红外透射谱谱顶和吸收边的影响，详细分析了“假生长”的特征，形成机理及......
砷的结构、电子的性质在原处，杂质 inHg_(1-x ) Cd_xTe (MCT ) 被联合完整潜力的线性扩充飞机波浪(FP-LAPW ) 和假潜在的方法基于密......
砷的结构、电子的性质在原处，杂质 inHg_(1-x ) Cd_xTe (MCT ) 被联合完整潜力的线性扩充飞机波浪(FP-LAPW ) 和假潜在的方法基于密......
用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。......
用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。......
一、探测器技术1.集成焦平面列阵技术在激光微小卫星网络中的使用（Shlomi Arnon）2．基于用分子束外延方法生长的多层结构的小间距Hg1-x......
报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表......
对分子束外延（MBE）生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知，原位退火可以得到光滑的材料表面，并可以降低材料的腐......
对分子束外延（MBE）生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知，原位退火可以得到光滑的材料表面，并可以降低材料的腐......
用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、能量散射Ｘ射线分析（ＥＤＸ）及Ｘ射线双晶摇摆曲线（ＤＣＲＣ）方法对衬底及Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延（ＬＰＥ）薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面......
基于Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg（1-x）CdxTe红外探测器器件结构进行建模,并在不同电极尺寸条件下对器件的光电流进行仿真。通过......
本文用Ｘ－射线双晶遥摆曲线，分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的晶体质量。结果表明，用垂直浸渍液相外延方法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜，结构均匀性好，晶体质量高，Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表......
以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌａｍｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ＾３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性......
研究了组分x=0.18～0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3～4.2K低温区和0～7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样......
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测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ在４．２Ｋ下的磁光电导光谱，观察到与杂质，缺陷有关的光电导峰，研究了它们随磁场的变化，并对这些光导峰发生的物理机制及杂质和缺陷可能......
分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落......
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通过测量经紫外辐照的样品的磁输运特性和复合特性,研究N~+表面累积层对钝化N-Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te的影响。紫外辐射使N~+表面层......
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研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器性能有着重要的影响，选择适合的钝化工艺，控制表面固定......
利用深能级瞬态谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅｐ＾＋ｎ结中Ｈ２空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复俣机制，该能俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｂｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推......
用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光，当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是......
根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布......
基于用金属有机汽相外延工艺生长的Hg1-xCdxTe的红外探测器可以设计成具有很小的暗电流，即使当它们在200K以上温度下工作时，也是这样......
用短波红外至长波红外HgCdTe制作的电子注入雪崩光电二极管所呈现的增益和过量噪声特性表现出一种单个致电离载流子的增益过程。结......
采用Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管电流的影响进行了仿真和分析。结......
表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要.本文主要论述了Hg1-xCdxTe光伏探测器表......
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